一般而言，選擇電感時(shí)，只需計(jì)算出負(fù)載電流，通過(guò)容許0.20紋波電流來(lái)建立電感。由于磁芯損耗微不足道，因此會(huì)出現(xiàn)類似于產(chǎn)品說(shuō)明書中所示的溫升。然而，隨著開(kāi)關(guān)頻率上升至500 kHz以上，磁芯損耗和繞組交流損耗可以較大地減少電感中的容許直流電流。使用0.20紋波電流來(lái)計(jì)算電感，可帶來(lái)相同的磁芯材料通量激增，其與頻率無(wú)關(guān)。磁芯損耗方程式的一般形式為：
Pcore = K × F1.3。
因此，如果頻率 (F) 從100 kHz升至500 kHz，則磁芯損耗便為原來(lái)的8倍。圖1顯示了這種上升情況，還描述了隨磁芯損耗上升而下降的容許銅線損耗。100 KHz時(shí)，大多數(shù)損耗存在于銅線中，同時(shí)利用全直流額定電流是可能的。更高頻率時(shí)，磁芯損耗變大。由于總?cè)菰S損耗由磁芯損耗與銅線損耗之和決定，因此銅線損耗需在磁芯損耗上升時(shí)降低。這種情況一直持續(xù)到各損耗均相等。情況是，在高頻率下?lián)p耗穩(wěn)定保持相等，并允許從磁結(jié)構(gòu)獲得輸出電流。
均基于固定磁芯體積和繞組面積，***匝數(shù)可變。圖2顯示了圖1所示磁芯損耗的電感和容許直流電流。1.3 MHz以下時(shí)，電感與開(kāi)關(guān)頻率成反比關(guān)系。電感在1.3 MHz附近達(dá)到小值。該頻率以上，則需升高電感來(lái)限制磁芯通量，從而將PQ磁芯損耗控制在總損耗的0.50。該電感的額定電流也同時(shí)被計(jì)算出來(lái)。低頻率時(shí)，磁芯損耗并不大，額定電流由繞組的功率損耗決定。
下列方程式中，匝數(shù)與頻率平方根的倒數(shù)成正比，因此頻率升高2倍（電感降低一半）得0.707匝數(shù)。
L = μ × A × N2/lm
這種情況會(huì)以兩種方式影響繞組電阻。匝數(shù)減少0.30，而每一匝的可用面積卻增加了0.41。由于繞組電阻與匝數(shù)/匝面積相關(guān)，因此電阻隨頻率上升而線性下降，例如：在本例中電阻下降2倍。
較高頻率時(shí)，磁芯損耗開(kāi)始限制容許銅線損耗，直到達(dá)到它們相等的點(diǎn)為止。在這一點(diǎn)上，通過(guò)增加更多匝數(shù)以及升高繞組電阻，使電感上升來(lái)降低通量。這樣，電感額定電流減少。因此，從電感尺寸角度來(lái)說(shuō)獲得了頻率。
總之，增加開(kāi)關(guān)頻率會(huì)縮小磁芯尺寸的看法是正確的，但限于磁芯損耗和交流 繞組損耗等于銅線損耗的點(diǎn)上。過(guò)了這個(gè)點(diǎn)，磁芯尺寸實(shí)際上會(huì)增加。另外，設(shè)計(jì)人員需要注意的是，在有許多高開(kāi)關(guān)頻率產(chǎn)品可供選擇的今天，一些相應(yīng)的應(yīng)用手冊(cè)中并沒(méi)有清楚地注明過(guò)高磁芯損耗存在的一些潛在問(wèn)題。
